Czochralski-Verfahren

Das Czochralski-Verfahren wurde 1916 entdeckt und verdankt seinen Namen dem Physiker Jan Czochralski. Es handelt sich bei dem Verfahren um eine Methode der Kristallzüchtung, die heute meist zur Herstellung von monokristallinen Silizium verwendet wird. Der Kristall wird hierbei in einem Tiegel aus einer Silizium-Schmelze gezogen. Hierfür wird ein Keim der zu gewinnenden Substanz in die Schmelze getaucht, welche das Kristallgitter fort setzt und somit einen einkristallinen Werkstoff bildet. Der so hergestellte Silizium Einkristall wird in der Computerindustrie aber auch in der Solarindustrie verwendet. In der Herstellung von Solarmodulen wird das monokristalline Silizium für Photovoltaik Solarzellen eingesetzt.